Zoekopdracht
+86-138-1482-9868 +86-512-65283666

Siliciumcarbide keramische EBSD-monstervoorbereiding

#SiCCeramiek #EBSD #MetallographicSamplePrep #Halfgeleidermateriaal #Materiaaltesten

Siliciumcarbide (SiC)-keramiek beschikt over uitstekende thermische geleidbaarheid, weerstand tegen hoge temperaturen, slijtage en corrosie, wat op grote schaal wordt toegepast in de productie van halfgeleiders, nieuwe energie-PV, thermische bescherming in de ruimtevaart en metallurgie bij hoge temperaturen. Hun serviceprestaties worden gedomineerd door korrelmorfologie, korrelgrensvoorwaarden en restspanning.

EBSD dient als een essentiële karakteriseringsmethode voor het analyseren van korreloriëntatie, textuur en microdefecten van SiC. Betrouwbare EBSD-gegevens begeleiden de sinteroptimalisatie en voorkomen defecten aan componenten. Nauwkeurige preparaatvoorbereiding bepaalt het succes van EBSD-indexering voor harde en broze SiC-keramiek. Standaard schuurpapier mislukt bij het slijpen; diamantschijven plus trilpolijsten zijn vereist.

Silicon carbide ceramic EBSD sample preparation micrograph 1

Figuur 1: Microfoto van keramiekcarbide (SiC) (schaal: 300 μm)

Silicon carbide ceramic EBSD sample preparation micrograph 2

Figuur 2: Microfoto van keramiekcarbide (SiC) (schaal: 300 μm)

Onze SiC EBSD-voorbereidingsprocedure:

1️⃣ Ruw slijpen met diamantschijf P400 voor vlakmaken
2️⃣ Fijnslijpen: POS-pad 9μm PD-WT diamantophanging
3️⃣ Grof polijsten: SC-JP doek 3μm PD-WT ophanging
4️⃣ Tussenpolijsten: ZN-ZP doek AO-A439 ophanging
5️⃣ Eindtrillingspolijsten: ZN-ZP doek AO-A439 ophanging
#Trojaans | #Trojaansmetallography

Aanbevolen