Siliciumcarbide (SiC)-keramiek beschikt over uitstekende thermische geleidbaarheid, weerstand tegen hoge temperaturen, slijtage en corrosie, wat op grote schaal wordt toegepast in de productie van halfgeleiders, nieuwe energie-PV, thermische bescherming in de ruimtevaart en metallurgie bij hoge temperaturen. Hun serviceprestaties worden gedomineerd door korrelmorfologie, korrelgrensvoorwaarden en restspanning.
EBSD dient als een essentiële karakteriseringsmethode voor het analyseren van korreloriëntatie, textuur en microdefecten van SiC. Betrouwbare EBSD-gegevens begeleiden de sinteroptimalisatie en voorkomen defecten aan componenten. Nauwkeurige preparaatvoorbereiding bepaalt het succes van EBSD-indexering voor harde en broze SiC-keramiek. Standaard schuurpapier mislukt bij het slijpen; diamantschijven plus trilpolijsten zijn vereist.
Figuur 1: Microfoto van keramiekcarbide (SiC) (schaal: 300 μm)
Figuur 2: Microfoto van keramiekcarbide (SiC) (schaal: 300 μm)






